Physics · Semiconductor Engineering
M.S. in Physics.
A researcher interested in semiconductor devices, device physics and nanomaterials.
01 / About
포논, 진동, 신호, 소리, 음악, 분광분석... 물리학과 전자공학의 경계에서 나노스케일 소자와 전자기 시스템을 연구해 왔습니다. 석사 과정에서 MoS2-based thin film transitor의 doping 및 열적 특성 분석 연구를 수행했습니다.
학문적 연구 외에도 Python, MATLAB을 활용한 데이터 분석 자동화, COMSOL Multiphysics 기반 시뮬레이션, PCB 설계 경험이 있습니다. 특히 jazz, funk, rock 등의 음악에 조예가 깊은 연구자 동료를 찾는다면 환영합니다. 언제나 드럼스틱을 잡을 준비가 되어있습니다.
Language & Tools
Fabrication
02 / Research
GaN, AlGaAs 기반 고전자이동도 트랜지스터의 2DEG 특성 및 RF 성능 향상 연구. Schrödinger-Poisson self-consistent 해석 수행.
5G 대역 저잡음 증폭기(LNA) 및 전력 증폭기(PA) 설계. ADS를 이용한 load-pull 시뮬레이션 및 임피던스 매칭 최적화.
FDTD, FEM 기반 전자기 시뮬레이션. 나노포토닉 구조의 광 국재화 현상 및 플라즈몬 공명 특성 수치 해석.
03 / Projects
e-beam 리소그래피를 이용한 80nm T-게이트 공정 개발. 클린룸에서 직접 소자를 제작하고 Network Analyzer로 S-파라미터를 측정, ft = 220 GHz 달성.
Keysight ADS를 사용한 5G mmWave LNA 설계. NF < 2.5 dB, Gain > 18 dB 달성. Rogers 4003 PCB 제작 후 VNA 측정으로 시뮬레이션 결과와 비교 검증.
Yee 격자 기반 2D FDTD 솔버를 NumPy로 처음부터 구현. PML 흡수 경계 조건 적용. 나노 안테나 주변 근접장 분포 시각화 및 MEEP 결과와 비교 검증.
04 / Publications & Presentations & Awards
Publications
"Phonon-Assisted Charge Trapping and Threshold Voltage Modulation in MoS2 FETs with AlOxNy Overlayers"
Sangwoo Nam et al. · ACS Applied Materials & Interfaces, 17 (34), 48592-48599
DOI → doi.org/10.1021/acsami.5c07597"Charge Transfer Doping of MoS2 Field‐Effect Transistors by Aluminum Oxynitride Deposition"
Beomjin Park et al. · physica status solidi (a), 222 (24), e202500087
DOI → doi.org/10.1002/pssa.202500087"Ti-doping in Silicon Nitride: Enhanced Charge Trap Characteristics for Flash Memory"
Hanyeol Ahn et al. · ACS Applied Electronic Materials, 17 (34), 48592-48599
DOI → doi.org/10.1021/acsaelm.4c01919"Nano-mapping of vertical contact electrodes using synchrotron scanning photoelectron microscopy"
Minseon Gu et al. · Applied Surface Science, 655, 159605
DOI → doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.159605Presentations
"Temperature Dependent Transport Properties of Charge Transfer Doped MoS2 FETs via AlOxNy Overlayer"
Sangwoo Nam · 2024 The Korean Physical Society (KPS) Spring Meeting
"Influence of AlOxNy overlayer on Mobility in 2D FET Channels"
Sangwoo Nam · 2023 The Korean Physical Society (KPS) Fall Meeting
Awards
Best Presentation Award · The Korean Physical Society (KPS)
Temperature Dependent Transport Properties of Charge Transfer Doped MoS2 FETs via AlOxNy Overlayer
05 / Contact
I welcome conversations about graduate school guidance, research collaborations, and career opportunities. Feel free to reach out by email, and I’ll get back to you within 48 hours.